技术参数
产品归类
型号
平均粒径
（nm）
纯度
（%）
比表面积
（m2/g）
体积密度
（g/cm3）
晶型
颜色
纳米级
CW-MoO3-001
50
>99.9
31
0.78
近球形
淡蓝色
纳米级
CW-MoO2-001
50
>99.99
55
0.96
立方
深紫色
加工定制
根据客户需求适当调整产品纯度及粒度
主要特点
1纳米氧化钼粉通过高频等离子体气相燃烧法制备，产品纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活性，松装密度低，气相法制备，克服了市场上湿化学法制备的颗粒硬团聚、难分散、纯度低等缺点；
2含钨量低，大幅度降低氢气还原的温度；
3纳米氧化钼因其有的纳米尺寸带来的特殊效应近年来越来越受到关注，不但被应用于冶金、农业、电器、化工、环保和宇航等重要部门，并且借助其有的物理和化学特性大规模投入纳米器件和传感器制备技术中。
球形纳米三氧化钼SEM电镜图谱
立方纳米二氧化钼SEM电镜图谱
应用领域
用于生产超纯纳米钼粉、各类钼盐、催化剂、电致色膜和气体发生组成材料等领域。
技术支持
可以提供纳米氧化钼在催化剂、添加剂中的应用技术支持，具体应用咨询请与销售部人员联系。
包装储存
本品为惰气包装，应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。
纳米氧化钴粉-纳米氧化物粉体 http://www.cwnano.com.cn/product-item-47.html
松下32纳米制程LSI本月正式量产
今年10月起，松下开始以32纳米制程批量生产大规模集成电路（LSI），LSI(Large-scale integration)将应用于松下支持3D放映的蓝光播放器中。32纳米制程的LSI在今年春季首次被美国英特尔应用于笔记本电脑中而实现量产，此次松下把32纳米制程的LSI应用于旗下家电制造中在业界还是首次。
32纳米制程的LSI将在松下位于日本富山县鱼津市的工厂内开始量产，由于该工厂目前已经在批量生产目前世界醉先进的45纳米制程的LSI，多数生产设备可以继续利用以生产32纳米制程的LSI，因而松下仅需付出少量资金用于更新生产设备。目前，松下并没有公布量产规模及投资金额，不过松下将会把更新生产设备的投资金额控制在250亿日元之内。
和现有的45nm工艺相比，32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化：32nm工艺使用第二代高-K金属栅级、0.9nm等价氧化物厚度高-K（45nm技术是1nm）、金属栅级工艺流程更新、30nm栅极长度、第四代应变硅、有史以来醉紧密的栅极间距（第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距）、有史以来醉高的驱动电流、晶体管性能提升22%、同比封装尺寸将是45nm工艺产品的70%。
相对于45nm工艺，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显著优化。
