N通道增强型MOSFET TDM3518 |
描述 |
该TDM3518采用先进的沟槽技术 |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 |
装置是适合用作负载开关或在PWM |
应用。 |
一般特征 |
lRDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 4.5V |
RDS(ON)<1.8MΩ@ VGS =10V |
l高功率和电流处理能力 |
l表面贴装封装 |
l可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准) |
应用 |
lPWM应用 |
l负载开关 |
l电源管理 |
l动力系统 |
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N通道增强型MOSFET TDM3518 |
描述 |
该TDM3518采用先进的沟槽技术 |
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 |
装置是适合用作负载开关或在PWM |
应用。 |
一般特征 |
lRDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 4.5V |
RDS(ON)<1.8MΩ@ VGS =10V |
l高功率和电流处理能力 |
l表面贴装封装 |
l可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准) |
应用 |
lPWM应用 |
l负载开关 |
l电源管理 |
l动力系统 |