| N沟道增强型MOSFET TDM3512 |
| 描述 |
| 该TDM3512采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM |
| 应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<3.6mΩ@ VGS = 1.8V |
| RDS（ON）<2.5mΩ@ VGS =2.5V |
| RDS（ON）<2MΩ@ VGS= 4.5V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l表面贴装封装 |
| l可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准） |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
| l动力系统 |
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| N沟道增强型MOSFET TDM3512 |
| 描述 |
| 该TDM3512采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM |
| 应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<3.6mΩ@ VGS = 1.8V |
| RDS（ON）<2.5mΩ@ VGS =2.5V |
| RDS（ON）<2MΩ@ VGS= 4.5V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l表面贴装封装 |
| l可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准） |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
| l动力系统 |
