| TDM3544 N沟道MOS | |
| 描述 | 一般特征 |
| 该TDM3544采用先进的沟槽技术 | ◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | ◆RDS（ON）<6.9mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | ◆可提供无铅产品 |
| 应用：PWM应用、负载开关、电源管理等 | ◆TO220封装 |
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| TDM3544 N沟道MOS | |
| 描述 | 一般特征 |
| 该TDM3544采用先进的沟槽技术 | ◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | ◆RDS（ON）<6.9mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | ◆可提供无铅产品 |
| 应用：PWM应用、负载开关、电源管理等 | ◆TO220封装 |
