| TDM3482 N沟道MOS | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 | ◆RDS（ON）<16mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | ◆RDS（ON）<9.5mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | ◆ESD保护 |
| ◆可提供无铅产品 | |
| 应用：PWM应用、l负载开关、l电源管理等 | ◆表面贴装封装 |
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| TDM3482 N沟道MOS | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 | ◆RDS（ON）<16mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | ◆RDS（ON）<9.5mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | ◆ESD保护 |
| ◆可提供无铅产品 | |
| 应用：PWM应用、l负载开关、l电源管理等 | ◆表面贴装封装 |
