N沟道增强型MOSFET TDM3408 |
描述 |
TDM3408采用先进的沟槽技术 |
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个 |
器件适合用作负载开关或PWM |
应用。 |
一般特征 |
lRDS(ON)<17.5mΩ@ VGS = 4.5V |
RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS = 10V |
l高功率和电流处理能力 |
lESD保护 |
l提供无铅产品 |
l表面贴装封装 |
应用 |
lPWM应用 |
l负载开关 |
l电源管理 |
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N沟道增强型MOSFET TDM3408 |
描述 |
TDM3408采用先进的沟槽技术 |
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个 |
器件适合用作负载开关或PWM |
应用。 |
一般特征 |
lRDS(ON)<17.5mΩ@ VGS = 4.5V |
RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS = 10V |
l高功率和电流处理能力 |
lESD保护 |
l提供无铅产品 |
l表面贴装封装 |
应用 |
lPWM应用 |
l负载开关 |
l电源管理 |