碳化硅陶瓷为高温下强度好高的陶瓷材料，是以碳化硅为主要成分的陶瓷材料。碳化硅是典型的共价键化合物，单位晶胞由相同的硅碳四面体构成，硅原子处于中心，周围是碳。主要有两种晶型：α型，高温型，六方结构;β型，低温型，立方结构。天然的碳化硅几乎不存在，常常需要人工合成。碳化硅粉料的合成方法主要有：①碳热还原法，SiO2+3C→SiC+2CO↑；②高频等离子体或激光进行硅烷的热分解法；③ 使用金属有机化合物的溶胶-凝胶法等。
碳化硅陶瓷的制备方法主要有常压烧结、热压烧结、反应烧结、高温等静压烧结。用化学气相沉积(CVD)法可制备碳化硅陶瓷薄膜。提高碳化硅陶瓷的烧结致密度，可加入一定量的 B、C、B4C、Al2O3、AlN、BeO和Al 等作为烧结助剂。碳化硅是共价键很强的化合物，在常压下很难使其完全致密化，只能得到接近理论密度95%的碳化硅陶瓷。热压烧结和高温等静压烧结可制备高致密碳化硅陶瓷，烧结温度在1950～2100℃，制品性能好，难以制造形状复杂的制品，且成本高。反应烧结由α-SiC和石墨粉末按一定比例混合压成坯体，加热使之与熔融的液态Si或气相Si反应，生成 β-SiC。烧结温度较低 (1400～1600℃)，可制造形状复杂的制品，缺点是坯体中残留8%～20%的游离硅，限制其高温力学性能及在强酸强碱中的应用。SiC陶瓷不仅具有室温强度高、耐腐蚀、耐磨和低摩擦系数，而且具有较高的高温强度和抗蠕变性能，使用温度可达1600℃，是目前已知的陶瓷材料中高温抗氧化、强度好好的材料。缺点是脆性大，断裂韧性较低。采用纤维、晶须和颗粒可增韧补强SiC陶瓷，明显提高SiC陶瓷的韧性和强度。可广泛用于石油、化工、汽车、航空航天、电子、原子能等领域，用作耐高温、耐磨损、耐腐蚀、密封、电子封装等材料。
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