中图仪器WD4000半导体晶圆硅片厚度测量仪采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP等。在有效防止晶圆产生划痕缺陷同时实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数测量。
WD4000半导体晶圆硅片厚度测量仪兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。
产品特点
1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；
2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；
3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；
4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。
产品优势
1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量
WD4000半导体晶圆硅片厚度测量仪集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。
2、高精度厚度测量技术
（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。
（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。
（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。
3、高精度三维形貌测量技术
（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；
（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。
（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。
4、大行程高速龙门结构平台
（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。
（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。
（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。
5、操作简单、轻松无忧
（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。
（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。
（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。
测量功能
1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
部分技术规格
| 品牌 | CHOTEST中图仪器 |
| 型号 | WD4000系列 |
| 测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
| 可测材料 | 砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等 |
| 厚度和翘曲度测量系统 | |
| 可测材料 | 砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
| 测量范围 | 150μm~2000μm |
| 扫描方式 | Fullmap面扫、米字、自由多点 |
| 测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度 |
| 三维显微形貌测量系统 | |
| 测量原理 | 白光干涉 |
| 干涉物镜 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个) |
| 可测样品反射率 | 0.05%~100 |
| 粗糙度RMS重复性 | 0.005nm |
| 测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数 |
| 膜厚测量系统 | |
| 测量范围 | 90um(n= 1.5) |
| 景深 | 1200um |
| 好小可测厚度 | 0.4um |
| 红外干涉测量系统 | |
| 光源 | SLED |
| 测量范围 | 37-1850um |
| 晶圆尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
| 晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
| X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。