其陶瓷电容环境条件对测量结果的影响：依照载体区别可分为类I瓷介电容和II类瓷介电容，一贯NP0,SL0,COG是I类瓷介电容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容，在不同的作工温度情况下,电荷储藏会有相对明显地改变，在差异的工作温度下，电容标称容量与实质容值界限的不同。比如在50℃时的测试容量和30℃时的测试容量有差异。所以我们不难看出，在内外环境温度相比高的状况下,电容的容值测量结果就会明显偏低。因此小编提倡放置在25℃的条件下，10-30分钟时间,让原料居于稳固的测试环境下再来容值测量。
陶瓷电容材料退化的基本现象：原料退化是指电容器的容值范围因时间下降的形势，这再全部以瓷系材料做绝缘体的材料物品中都有产生，是一种自然但避免不了的形势。因由是由于内部晶体形态随温度和时间导致了变化让其容值降低，归属可逆原理。
当对退化的原料提供超出材料居里点期间中，当环境温度复原到室温后,原料的分子组织就折回好初的形态。材料就会开始老化的不断循环，陶瓷电容的容值将回复到正常标准中。如果大家想让了解更好有关陶瓷电容的资讯，欢迎大家搜索智旭电子官方网站，站内提供了许多我们智旭电子的过往的合作案例与资讯。以上资讯来自东莞市智旭电子有限公司研发部提供。