SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的好半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难，其中第一要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。
合能阳光提供的SiC晶种，可充分满足不同需求的客户，优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。
标准参数：
完全可以根据客户需求提供不同品质的晶种。Micropipe密度，标准控制在30/cm2以内，高品质可以控制在5/cm2以内。